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新聞中心 半導(dǎo)體應(yīng)用-FITOK ALD 系列原子層沉積隔膜閥
發(fā)布時間：2022-04-02 瀏覽次數(shù)：84 返回新聞列表
原子層沉積 (Atomic Layer Deposition) 是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。隨著芯片節(jié)點(diǎn)尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)沉積技術(shù)已達(dá)到其極限，在納米級上沉積超薄層需要原子層沉積 (ALD) 技術(shù)，該技術(shù)可使材料一次沉積一個原子層。FITOK ALD 系列原子層沉積隔膜閥可應(yīng)用于原子層沉積工藝，在半導(dǎo)體芯片制造的沉積工藝中輸送精確劑量的氣體，以實(shí)現(xiàn)先進(jìn)技術(shù)所需的均勻氣體沉積。
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