專業(yè)分銷BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET，BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件，BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC S碳化硅二極管,BASiC SiC碳化硅模塊，BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本半導(dǎo)體單管IGBT，BASiC基本半導(dǎo)體IGBT模塊，BASiC基本半導(dǎo)體三電平IGBT模塊，BASiC基本半導(dǎo)體I型三電平IGBT模塊，BASiC基本半導(dǎo)體T型三電平IGBT模塊，BASiC 混合IGBT單管，BASiC 混合IGBT模塊，BASiC 三電平IGBT模塊。BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊適合應(yīng)用于雙向AC-DC電源，能量的雙向流通的雙向 LLC 諧振變換器，變換效率高，儲能變流器碳化硅SiC功率MOSFET，單通道隔離驅(qū)動芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動芯片（帶VCE保護）BTD3011, 基本半導(dǎo)體混合IGBT模塊被廣泛應(yīng)用于新能源領(lǐng)域，醫(yī)療電源，X射線高壓電源，大功率高頻高速變頻器,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊使用于雙向DC/DC變換器為雙向非隔離型直流變換器，實現(xiàn)直流升壓降壓轉(zhuǎn)換，儲能PCS-Buck-Boost電路，高壓側(cè)接入PV直流側(cè)，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)洌蛪簜?cè)接電池組。

基本半導(dǎo)體全碳化硅MOSFET模塊，F(xiàn)ull SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC)，空調(diào)熱泵驅(qū)動，機車輔助電源，儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機，超高頻伺服驅(qū)動器，高速電機變頻器,MRI醫(yī)療電源等. 光伏逆變器專用對稱拓?fù)浜惋w跨電容拓?fù)渲绷魃龎耗KBOOST Module-光伏MPPT，PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓?fù)淠孀兡K。

汽車級全碳化硅功率模塊是基本半導(dǎo)體為新能源汽車主逆變器應(yīng)用需求而研發(fā)推出的系列功率模塊產(chǎn)品，包括半橋MOSFET模塊Pcore?2、三相全橋MOSFET模塊Pcore?6、塑封單面散熱半橋MOSFET模塊Pcell?等，采用銀燒結(jié)技術(shù)等基本半導(dǎo)體最新的碳化硅 MOSFET 設(shè)計生產(chǎn)工藝，綜合性能達(dá)到國際先進水平，通過提升動力系統(tǒng)逆變器的轉(zhuǎn)換效率，進而提高新能源汽車的能源效率和續(xù)航里程。高功率密度，高可靠性，高工作結(jié)溫，低熱阻，低雜散電感。

Pcore?2系列模塊BMF600R12MCC4，BMF400R12MCC4具有低開關(guān)損耗、可高速開關(guān)、降低溫度依賴性、高可靠性（高于AQG-324參考標(biāo)準(zhǔn)）等特點，結(jié)溫可達(dá)175℃，與傳統(tǒng)硅基模塊具有相同的封裝尺寸，可在一定程度上代替相同封裝的IGBT模塊，從而有效縮短產(chǎn)品開發(fā)周期，提高工作效率。

Pcore?6系列模塊BMS600R12HWC4，BMS400R12HWC4，BMS700R08HWC4，BMS450R08HWC4是一款非常緊湊的功率模塊，專為混合動力和電動汽車提升效率應(yīng)用而設(shè)計，使用氮化硅AMB絕緣基板、用于直接流體的銅基PinFin基板、多信號監(jiān)控的感應(yīng)端子（焊接、壓接兼容）設(shè)計，具有低損耗、高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻、高電流密度、高可靠性（高于AQG-324參考標(biāo)準(zhǔn)）等特點。

Pcell?系列模塊BMF600R12PC4，BMF400R12PC4，BMF700R08PC4，BMF450R08PC4采用基本半導(dǎo)體設(shè)計的獨有封裝形式，采用銀燒結(jié)和DTS技術(shù)，大大提升了模塊的功率密度，讓碳化硅材料特性得以充分發(fā)揮，使得產(chǎn)品具有高功率密度、低雜散電感(小于5nH)、高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻（小于2mΩ）、結(jié)溫高達(dá)175℃等特點，非常適合于高效、高功率密度應(yīng)用領(lǐng)域。

基本半導(dǎo)體混合SiC功率模塊 Hybrid SiC Module主要特點： 1.與普通IGBT模塊相比，混合SiC模塊可大幅降低FRD的開關(guān)損耗與 IGBT 的開通損耗，有助于電力電子設(shè)備的降低功率損耗。不同應(yīng)用條件下總損耗可以

降低20~40%。相對全SiC模塊，性價比更高。

2.可以顯著提高功率模塊開關(guān)頻率。因此有助于縮減輸出濾波電感電容等周邊元器件的規(guī)格成本，實現(xiàn)整機的小型化、在現(xiàn)有系統(tǒng)的不變的情況下，將普通IGBT模塊更換為混合SiC模塊實現(xiàn)更大的輸出功率。

3.多種電流及封裝規(guī)格,半橋結(jié)構(gòu)。EconoDUAL? 3 Hybrid SiC Module:300A,450A,600A,800A 1200V 62mm STD 2in1 :300A,450A,600A,800A 1200V

典型應(yīng)用：測試電源-直流源，除塵電源，等離子切割，電源醫(yī)療電源CT， MRI，軌道交通輔助電源